Transistor de potencia MOSFET canal N, FCP22N60N
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 600V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 30V
Corriente continua de Drain 22A
Recuperación de diodo pico dv/dt 20V/ns
Potencia de disipación 205W
Resistencia Drain a Source máxima 0.165Ω
Carga total de Gate 45nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado 49ns
Tiempo de retardo de encendido 16.9ns
Tiempo de recuperación inversa 350ns
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