Transistor de potencia MOSFET canal N, IXTP62N15P
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 150V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 20V
Corriente continua de Drain es 62A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 10V/ns
Potencia de disipación es 350W
Resistencia Drain a Source máxima es 40mΩ
Carga total de Gate es 70nC a 10V
Tiempo de retardo de apagado es 76ns
Tiempo de retardo de encendido es 27ns
Tiempo de recuperación inversa es 150ns.
Documento:
