Transistor De Potencia MOSFET Canal N 3 Pines IRF1404

Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF1404
Encapsulado TO-220AB de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 40V
Voltaje de Gate a Source (GS) es 4V
Corriente continua de Drain es 202A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 1.5V/ns
Potencia de disipación es 333W
Resistencia Drain a Source máxima (RDS) es 4mΩ
Carga total de Gate es 131nC
Tiempo de retardo de apagado es 46ns
Tiempo de retardo de encendido es 17ns