Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, FQP75N08A
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 75V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 20V
Corriente continua de Drain 75A
Recuperación de diodo pico dv/dt 4.5V/ns
Potencia de disipación 137W
Resistencia Drain a Source máxima 11mΩ
Carga total de Gate 80nC
Tiempo de retardo de apagado 273ns
Tiempo de retardo de encendido 43ns
Tiempo de recuperación inversa 62ns
Valoraciones
No hay valoraciones aún.