Transistor de potencia MOSFET canal N de conmutación rápida, IRF740
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) es 400V
Voltaje de Gate a Source (GS) es ± 30V
Corriente continua de Drain es 10A
Recuperación de diodo pico dv/dt es 5.5V/ns
Potencia de disipación es 134W
Resistencia Drain a Source máxima es 0.54Ω
Carga total de Gate es 53nC
Tiempo de retardo de apagado es 260ns
Tiempo de retardo de encendido es 50ns
Tiempo de recuperación inversa es 170ns
