Transistor de potencia MOSFET canal N, IXFH40N50Q
Encapsulado TO-247AC de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) 500V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 30V
Corriente continua de Drain 40A
Recuperación de diodo pico dv/dt 20V/ns
Potencia de disipación 500W
Resistencia Drain a Source máxima 140mΩ
Carga total de Gate 130nC
Tiempo de retardo de apagado 56ns
Tiempo de retardo de encendido 17ns
Tiempo de recuperación inversa 250ns
