Transistor de potencia MOSFET canal P de conmutación rápida, FQP27P06
Encapsulado TO-220 de 3 pines
Voltaje de Drain a Source (DS) -60V
Voltaje de Gate a Source (GS) ± 25V
Corriente continua de Drain -27A
Recuperación de diodo pico dv/dt -7V/ns
Potencia de disipación 120W
Resistencia Drain a Source máxima 0.07Ω
Carga total de Gate 33nC
Tiempo de retardo de apagado 30ns
Tiempo de retardo de encendido 18ns
Tiempo de recuperación inversa 105ns
Documentos:
Valoraciones
No hay valoraciones aún.